삼성전자, 시스템반도체에 171조 투자…‘평택3라인’ 내년 완공 예정

[스마트에프엔=조성호 기자] 삼성전자가 '시스템반도체 비전 2030' 달성을 위해 투자를 대폭 확대한다.

지난 2019년 발표한 기존 투자 규모에서 38조원을 추가한 총 171조원 규모다. 아울러 내년 하반기 평택 3라인을 완공하고 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로 도약하겠다는 포부도 밝혔다.

13일 삼성전자는 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 향후 2030년까지 시스템반도체 분야에 대한 추가 투자계획을 발표했다.

삼성전자는 시스템반도체 리더십 조기 확보를 위해 지난 2019년 발표한 '시스템반도체 비전 2030'의 투자계획에 38조원을 증액해 2030년까지 총 171조원을 투자한다. 또한 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설에도 박차를 가하기로 했다.

2019년 4월 정부는 삼성전자 화성사업장에서 '시스템반도체 비전 선포식'을 열고 시스템반도체 육성을 통해 종합 반도체 강국으로 거듭나겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 당시 삼성전자는 133조원 투자계획을 발표했다.

삼성전자 측은 “최근 모든 산업영역에서 전례 없는 반도체 부족 사태가 빚어지고 각국 정부가 미래 산업의 핵심인 반도체 공급망 유치를 위해 경쟁하는 상황에서 삼성전자의 시스템반도체 투자 확대는 'K-반도체'의 위상을 한층 더 높이는 데 기여할 것으로 기대된다”고 설명했다.

◇2022년 하반기 평택 3라인 완공…최첨단‧세계 최대 반도체 클러스터

2022년 하반기 완공될 평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기이다. 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹으로, 극자외선(EUV) 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.

평택캠퍼스는 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로서 최첨단 제품을 양산하는 전초기지이자 글로벌 반도체 공급기지로서의 주도적 역할이 더욱 강화될 전망이다.

삼성전자는 앞으로 차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나간다는 방침이다. 또한 메모리와 시스템반도체를 융합한 'HBM-PIM'과 D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며 '초격차 세계 1위' 위상을 강화할 계획이다.

김기남 삼성전자 부회장은 이날 행사에서 “한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다”며 “수성에 힘쓰기 보다는 결코 따라올 수 없는 초격차를 벌리기 위해 선제적 투자에 앞장서겠다”고 강조했다.
◇반도체 생태계 육성을 위한 상생협력과 지원‧투자 강화

국내 반도체 생태계의 발전을 위한 상생협력과 지원‧투자도 더욱 확대한다. 삼성전자는 시스템반도체 생태계 육성을 위해 팹리스 대상 IP 호혜 제공, 시제품 생산 지원, 협력사 기술교육 등 다양한 상생 활동을 더욱 확대할 계획이다. 또한 공급망 핵심인 소재‧부품‧장비 업체는 물론 우수 인재 육성을 위한 학계와의 협력을 더욱 강화해 나갈 예정이다.

파운드리 분야는 사업이 커지면 커질수록 국내 팹리스 기업들의 성장 가능성이 커지고 많은 팹리스 창업이 이뤄지며 전반적인 시스템 반도체 산업의 기술력이 업그레이드 되는 부가 효과를 유발한다. 이에 따라 삼성전자의 파운드리 사업 확대는 5G, AI, 자율주행 등 우리나라 미래 산업의 밑거름 역할을 할 것으로 기대된다.

김기남 부회장은 “지금 대한민국의 반도체 산업은 거대한 분수령 위에 서 있고 대격변을 겪는 지금이야 말로 장기적인 비전과 투자의 밑그림을 그려야 할 때”라며 “우리가 직면한 도전이 크지만 현재를 넘어 미래를 향해 담대히 나아갈 것”이라고 말했다.



조성호 기자 chosh7504​​@smartfn.co.kr