삼성전자 “맞춤형 HBM 수요 증가 대응 박차”

“삼성전자가 인공지능(AI) 응용 확산에 따른 맞춤형 고대역폭 메모리(HBM) 수요 증가 대응에 박차를 가하겠다.”

김경륜 상품기획실 상무와 윤재윤 DRAM개발실 상무가 18일 삼성전자 뉴스룸 인터뷰에서 이같이 말했다.

삼성전자는 지난 2월 27일 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High·12단 적층) D램 개발에 성공했다.

김경륜 상무는 “초기 HBM 시장에서는 하드웨어의 범용성이 중요했다”며 “미래에는 킬러 앱을 중심으로 서비스가 성숙하면서 하드웨어 인프라가 서비스별로 최적화되는 과정을 필연적으로 겪을 것”이라고 전망했다.

김 상무는 “데이터를 저장하는 코어 다이(core die)는 단일화하고, 패키지와 베이스 다이 다변화를 통해 대응할 예정”이라고 말했다. 

김 상무는 공동 최적화의 필요성으로 인해 맞춤화 요구가 커질 것으로 내다봤다.

그는 “플랫폼화를 통해 공용 설계 부분을 극대화하고, 생태계 파트너 확대로 효율적으로 맞춤화 요구에 대응할 수 있는 체계를 만들 것”이라며 “프로세서와 메모리 업체가 제품을 개별적으로 최적화해서는 범용 인공지능(AGI) 시대가 요구하는 미래의 혁신을 만들어 내기 어렵다는 업계의 공감대가 있다"며 "맞춤형 HBM은 AGI 시대를 여는 교두보”라고 강조했다. 

그러면서 “삼성전자는 메모리, 파운드리, 시스템LSI, 어드밴스드 패키징(AVP) 등 종합 역량을 십분 발휘해 대응해 나갈 것”이라며 “차세대 HBM 전담팀도 구성했으며 업계에서 단시간에 따라올 수 없는 역량으로 효과가 클 것”이라고 덧붙였다. 

HBM3E 12H는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 삼성전자는 HBM3E 12H의 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정이다.

윤재윤 상무는 제품과 관련해 “속도와 용량 측면에서 세계 최고 사양을 갖춘 제품”이라고 소개했다. 

윤 상무는 “HBM의 열 관리가 중요한데 ‘첨단 열압착 비전도성 접착 필름(TC-NCF)’ 기술은 열 방출 측면에서 독보적인 경쟁력을 갖췄다”며 “HBM의 열 저항은 칩 간격의 영향을 주로 받는데 칩 사이에 적용되는 NCF 소재의 두께를 낮추고 열압착 기술을 통해 칩 간격을 줄이는 동시에 고단 적층에서의 칩 제어 기술을 고도화했다”고 설명했다.

김 상무는 “36GB HBM3E 12H D램은 현재 시장의 주요 제품인 16GB HBM3 8H 대비 2.25배 큰 용량의 제품”이라며 “상용화되면 빠른 속도로 주류 시장을 대체해 나갈 것”이라고 기대했다.

그러면서 “기존보다 더 적은 수의 AI 서버로도 동일한 초거대 언어 모델(LLM)을 서비스할 수 있어 총소유비용(TCO)이 절감되는 효과가 있다”면서 “이 때문에 고객의 기대는 매우 높다”고 덧붙였다. 

신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr