삼성전자·SK하이닉스, HBM 기술 경쟁 속 기술유출 심각?

SK하이닉스, 실무자 퇴직 후 마이크론 임원급으로 이직
삼성전자, 중국에 기술유출 혐의…구속영장 기각

신종모 기자 2024-03-07 10:28:43

삼성전자와 SK하이닉스가 최근 인공지능(AI)의 핵심인 고대역폭 메모리(HBM) 시장 패권을 놓고 경쟁을 펼치고 있다. 하지만 최근 HBM 개발 실무자들이 경쟁사로 이직하는 등 반도체 기술유출이 심화되고 있다.

7일 업계와 법조계에 따르면 SK하이닉스에서 근무하던 A씨는 지난 2022년 7월 SK하이닉스를 퇴사하고 이후 미국 마이크론에 임원급으로 이직했다. 당시 A씨는 D램과 HBM 설계 관련 업무를 담당하고 있었다.

앞서 A씨는 퇴직 무렵 SK하이닉스로부터 마이크론 등 후발 경쟁업체에 2년간 취업하거나 용역·자문·고문 계약 등을 맺지 않는다는 내용의 약정서를 작성했다. 하지만 A씨는 이를 어기고 마이크론에 이직한 것으로 전해졌다. A씨는 전직금지 약정이 5개월 정도 남은 것으로 알려졌다.

이에 SK하이닉스는 지난달 말 A씨를 상대로 낸 전직금지 가처분 신청을 냈다.

서울중앙지법 제50민사부는 A씨에 약정서를 위반한 혐의로 1일당 1000만원을 지급하라고 결정했다.

법원은 A씨가 SK하이닉스에서 근무하며 얻은 정보가 경쟁사인 마이크론으로 흘러갈 경우 SK하이닉스의 경쟁력 훼손이 불가피하다고 판단했다.

삼성전자에서도 반도체 기술유출이 발생했다.

삼성전자에서 연구원으로 근무했던 B씨가 지난 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노급 D램 기술 공정도 약 700개를 중국 반도체 업체에 넘긴 혐의를 받고 있다.

서울중앙지법 이민수 영장전담 부장판사는 지난 1월 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 구속영장이 청구된 전직 삼성전자 수석연구원 B씨에 대해 구속영장을 기각했다.

이 부장판사는 범행에 대해 사실적, 법리적 측면에서 다투고 있고 현재까지 진행된 수사 진행 상황 등에 비춰 볼 때 피의자에게 방어권을 보장해 줄 필요가 있다고 봤다.

이 부장판사는 “피의자가 범죄 전력이 없고 관련 증거들도 상당수 확보됐다”며 “피의자의 심문 태도 등을 고려할 때 현 단계에서 구속 필요성 및 상당성이 인정된다고 보기 어렵다”고 설명했다.

업계 관계자는 “삼성전자와 SK하이닉스가 HBM 기술 개발에 박차를 가할수록 타 경쟁사에서 기술유출 시도가 빈번하게 발생할 것”이라며 “실무자들의 기술유출을 막기 위해서는 약정서 규정을 보다 강화할 수밖에 없다”고 말했다.

한편 산업통상자원부에 따르면 지난해 기술유출 건수는 23건으로 집계됐다. 이는 전년(20건) 대비 15% 증가한 수치다. 최근 5년 내 최대치로 기술유출 적발 건수는 2019년 14건, 2020년 17건, 2021년 22건, 2022년 20건 등이다.

업종별로는 반도체가 압도적으로 많았다. 최근 5년간 반도체 기술유출 건수는 38건이다. 같은 기간 디스플레이 16건, 자동차 9건, 전기전자 9건, 기계 7건, 정보통신 4건, 조선 3건, 생명공학 2건, 기타 8건 순이다.

판 커지는 HBM3 시장 선점 경쟁 치열

글로벌 시장조사업체인 가트너는 AI 반도체 시장이 연평균 20%씩 급성장할 것으로 전망했다. 오는 2027년에는 1120억달러(약 148조7600억원)에 달할 것으로 내다봤다.

HBM은 다수의 D램을 수직으로 연결해서 데이터 처리 속도를 끌어올린 고성능 제품으로 그래픽처리장치(GPU)의 핵심 부품을 말한다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐다.

HBM3 메모리는 기존 HBM3보다 데이터 전송 속도가 50% 빠르고 초당 총 10테라바이트(TB)의 대역폭을 제공한다.

이에 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM 수요가 기하급수적으로 늘어날 것으로 예측하고 신제품 개발에 나서고 있다.

SK하이닉스는 세계 최초로 HBM3를 양산해 엔비디아에 납품하는 등 최고의 경쟁력을 갖추고 있다. HBM2E와 HBM3 분야에서 시장 점유율 1위를 달리고 있다.

SK하이닉스는 지난해 6월 현존 세계 최고 성능 D램인 ‘HBM3’의 양산을 시작했다. 이후 SK하이닉스는 지난 4월에 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 구현한 HBM3 신제품 개발에 성공했다.

삼성전자도 지난달 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High·12단 적층) D램 개발에 성공했다.

삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다.

HBM3E 12H는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선된 제품이다.

대만 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 삼성전자가 지난해 4·4분기 D램 시장점유율 45.5%로 1위를 지켰다. 2위는 SK하이닉스 시장점유율을 31.8%를 기록했다. 후발 주자로 평가받는 마이크론은 8.9%로 3위에 이름을 올렸다.

신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr