권언오 SK하이닉스 부사장 “차세대 HBM은 전문화·고객 맞춤화”

HBM 기술 로드맵 완성 중책 맡아
권 부사장 “차세대 기술 혁신 이뤄낼 수 있게 노력 다 할 것”
신종모 기자 2024-03-28 10:38:54
“세계 최고의 HBM을 개발한 우리 구성원들의 경험과 도전 정신을 바탕으로 차세대 기술 혁신을 이뤄낼 수 있도록 최선을 다하겠다.”

SK하이닉스의 고대역폭 메모리(HBM) 기술 담당 임원인 권언오 SK하이닉스 부사장이 28일 SK하이닉스 뉴스룸에 공개된 인터뷰에서 이같이 밝혔다. 

권언오 부사장은 지난 연말 HBM PI담당 신임임원으로 선입됐다. 올해 권 부사장은 기술 역량을 바탕으로 SK하이닉스 HBM의 기술 로드맵을 완성하는 중책을 맡았다. 

권 부사장은 D램 개발 연구위원으로 있던 지난 2022년 세계 최초로 모바일용 D램인 LPDDR에 HKMG(High-K Metal Gate): 공정을 도입했다. 초고속·초저전력 특성을 동시에 구현한 LPDDR5X와 LPDDR5T 개발을 성공적으로 이끌었다. 그는 공로를 인정받아 지난해 ‘SUPEX추구상’을 수상한 바 있다. 

권언오 SK하이닉스 부사장. /사진=SK하이닉스


권 부사장은 차세대 HBM이 기능적 우수함은 물론 고객별로 차별화한 역량을 갖추고 메모리 이상의 역할을 하는 형태로 진화돼야 한다고 강조했다.

그는 HBM 비즈니스 조직의 가장 큰 강점으로 높은 효율성을 꼽았다. 개발 초기 의사결정 과정을 단축해 빠른 조율과 실행이 가능하며, 개발 단계에서부터 직접 고객의 목소리를 듣고 고객이 원하는 가치를 반영할 수 있다는 것이다.

권 부사장은 “HBM이라는 하나의 목표를 공유하는 HBM 비즈니스 조직이 구성된 덕분에 기술 역량을 집중해서 발휘할 수 있는 환경이 마련됐다”며 “구성원들 역시 목표 지향적인 시야를 가질 수 있게 됐다고 생각한다”고 말했다.

권 부사장은 압도적인 반도체 요소 기술 역량, HBM 기술 혁신 위해 펼칠 계획이다. 

권 부사장은 자신의 경력 중 가장 의미 있는 성과로 LPDDR에 HKMG 공정을 도입한 사례를 꼽았다. 

HKMG는 반도체 요소 기술의 대표적인 혁신 사례 중 하나다. HKMG 공정은 시스템 반도체에는 더 일찍 적용됐지만 메모리 반도체 중에서도 누설 전류를 제어해 전력 소모를 최소화해야 하는 모바일용 D램에서는 구현되기가 쉽지 않았다.

권 부사장은 “HBM은 어렵고 복잡한 선행 기술의 제품으로 가장 기술집약적인 D램이라 할 수 있다”며 “시스템 반도체에서 메모리 반도체로의 도전을 감행하게 된 계기도 바로 HBM이라는 제품 때문이었다”고 말했다. 

그는 “오랫동안 이어져 온 미세화 기반 성능 개선을 넘어 시스템 반도체와 메모리 반도체의 구조와 소자, 공정이 융합하며 기술이 발전하는 시대가 올 것이라고 예상했다”면서 “메모리 반도체가 주도하는 혁신의 기회가 있을 것이라고 생각했고 그 혁신의 시작이 HBM이라 확신했다”고 전했다. 

권 부장은 AI 시대 빠른 변화 앞에 자부심 가지고 도전할 것이라고 밝혔다. 

권 부사장은 앞으로의 HBM 시장에 대해 “고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화되고 고객 맞춤화될 것”이라며 “이를 위해 그는 차세대 HBM은 기능적 우수함은 기본이고 고객별로 차별화한 스페셜티(Specialty) 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다”고 강조했다. 

그는 이어 “AI 시대에 들어서며 그동안 겪어보지 못한 수준의 빠른 변화가 이어지고 있다”면서 “AI 시대를 선도하고 1등 기술력을 이어가기 위해 HBM PI 조직 역시 요소 기술의 혁신과 빠른 제품화를 위한 기술 개발에 힘쓰고 있으며 고객 및 외부 파트너와 적극적으로 소통하며 협업을 진행하고 있다”고 설명했다. 

권 부사장은 단순히 변화를 받아들이는 것을 넘어 시야를 넓히고 적극적으로 도전하는 자세가 중요하다는 소신을 전했다. 

그는 “향후 AI용 메모리는 현재와 같은 대(對)데이터센터 외에도 특정 목적에 맞춰 성능과 효율성을 높인 ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 형태나 고객의 제품에 최적화한 온디바이스(On Device) 형태로 확대될 것”이라며 “HBM뿐만 아니라 다양한 종류의 D램이 AI용 메모리로 사용될 것이고 전통적인 특성 외 다양한 조건으로 특화된 소자 개발이 필요할 것”이라고 말했다. 

그러면서 “그동안 수많은 기술 변곡점이 있었지만 AI가 만드는 변화는 그 어느 때보다 크고 거세다”라면서 “SK하이닉스가 압도적인 기술 경쟁력을 바탕으로 현재의 기술 변화를 주도하고 있는 가운데 저 역시 자부심과 책임감을 가지고 HBM 기술력을 높여 가겠다”고 덧붙였다. 

신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr

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