SK하이닉스, ‘DDR5·HBM’ 희망 봤다...하반기 실적 개선 기대

[스마트에프엔=신종모 기자] SK하이닉스가 올해 상반기에만 영업이익 6조원의 손실을 기록했다. 다만 고대역폭 메모리(HBM) 등 그래픽 D램 매출 비중 20% 증가와 감산 효과가 나타날 것으로 예상됨에 따라 하반기에는 실적이 개선될 것으로 전망된다. 

SK하이닉스는 앞으로 인공지능(AI)용 메모리인 HBM3, 고성능 D램인 DDR5, LPDDR5와 176단 낸드 기반 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 중심으로 판매를 꾸준히 늘려 하반기 실적 개선에 속도를 높일 계획이다. 

SK하이닉스는 26일 올해 2분기 연결기준 영업손실 2조 8821억원으로 전년 동기(4조1972억원)와 대비 적자 전환했다고 밝혔다. 

매출은 7조 3059억원으로 전년 동기 대비 47.1% 감소했다. 순손실은 2조 9879억원으로 적자로 돌아섰다. 

SK하이닉스는 이날 콘퍼런스콜에서 “메모리 반도체 시장은 1분기를 저점으로 이제 회복 국면에 접어들고 있다”며 “2분기부터 공급사의 감산 효과도 점차 나타나기 시작하면서 메모리 가격은 1분기 대비 하락 폭이 둔화됐다”고 말했다. 

챗GPT를 중심으로 한 생성형 인공지능(AI) 시장이 확대되면서 AI 서버용 메모리 수요가 급증했다. 이에 따라 HBM3와 DDR5 등 프리미엄 제품 판매가 늘어나 2분기 매출은 1분기 대비 44% 커지고 영업손실은 15% 감소했던 것으로 분석된다. 

특히 D램의 평균판매가격(ASP)이 전분기 대비 상승한 것이 매출 증가에 큰 영향을 미쳤다.  PC, 스마트폰 시장이 약세를 이어가며 DDR4 등 일반 D램 가격은 하락세를 이어갔으나 AI 서버에 들어가는 높은 가격의 고사양 제품 판매가 늘어 D램 전체 ASP가 1분기보다 높아졌다. 

SK하이닉스는 HBM 등 그래픽 D램 제품에 집중할 계획이다. 

앞서 SK하이닉스는 지난해 6월 현존 세계 최고 성능 D램인 ‘HBM3’의 양산을 시작했다. 

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. HBM3는 HBM 4세대 제품으로 HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E) 순으로 개발됐다. 

이후 SK하이닉스는 지난 4월에 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 구현한 HBM3 신제품 개발에 성공했다. 

SK하이닉스 이번 제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF와 TSV 기술을 적용했다. 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했다. 또 TSV(Through Silicon Via) 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현했다. 이 제품은 올해 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 예정이다. 

SK하이닉스 관계자는 “DDR5/LPDDR5, HBM3 등 올해부터 수요 성장세가 본격화되고 있다”며 “어려운 시장 환경 속에서도 미래의 성장동력이 될 기술과 제품 개발에 집중해 경쟁력을 이어 나가겠다”고 말했다. 

신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr