'반도체 위기' 삼성전자·하이닉스, 2분기 대응책은?

[스마트에프엔=신종모 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 글로벌 경기 침체로 IT 제품 등의 수요 부진이 장기화하며 올해 1분기 사상 최악의 ‘어닝 쇼크’를 기록했다. 이들 회사는 대대적인 감산, 대규모 투자 축소, 연구개발(R&D) 강화 등을 통해 위기를 극복할 것으로 전망된다. 

업계는 현재 수요 상황을 봤을 때 감산 효과가 2분기부터 본격적으로 나타나 3분기에 수급 상황 호조로 시황이 개선될 것으로 내다봤다. 

2일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스가 올해 1분기에만 반도체 사업에서 8조원에 달하는 적자를 냈다. 

삼성전자는 1분기 반도체 부문에서 4조 5800억원의 적자를 기록했다. SK하이닉스도 같은 기간 3조 4023억원의 영업손실이 발생했다.

이는 글로벌 경기 침체가 지난해부터 이어지면서 수요 위축과 재고 증가로 가격 하락세가 나타나면서 반도체 시황이 악화된 것으로 풀이된다. 

삼성전자는 2분기부터 메모리 생산량을 줄이면서 동시에 반도체 연구개발(R&D)에 웨이퍼 투입을 늘리는 전략을 펼친다. 아울러 초격차 기술 확보를 위한 투자도 확대할 방침이다. 

앞서 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장(사장)은 지난달 26일 DS 부문 경영 현황 설명회에서 “올해 웨이퍼 투입을 증가시켜 미래 제품의 경쟁력에서 더 앞서갈 수 있도록 준비하겠다”며 “급격한 실적 악화에 대응하기 위해 적극적인 다운턴(하강국면) 대책을 실행하겠다”고 말했다. 

삼성전자는 올해 R&D 투자를 강화하기 위해 인력을 증원하는 등 인재 확보와 시설투자(CAPEX)를 집행할 계획이다. 

세부적으로 삼성전자는 1분기 R&D와 시설투자에 각 6조 5800억원, 10조 7000억원을 투입할 계획이다. 

이외에도 재고 감축, 경비 효율화, 구매단가 인하 등을 통해 비용을 효율화할 방침이다. 

삼성전자 관계자는 “연구개발 단계에서부터 선제적으로 투자를 강화하며 중장기 공급 대응을 위한 경쟁력을 제고해 나갈 계획”이라고 전했다.

SK하이닉스는 감산과 투자를 축소하면서 최신 메모리 제품에 대한 투자에 집중할 예정이다. 

구체적으로 서버용 더블데이터레이트(DDR)5, 고대역폭메모리(HBM)과 같은 고성능 D램, 176단 낸드 기반의 SSD(Solid State Drive), uMCP 제품 등 중심으로 판매에 집중할 계획이다. 

또 10나노급 5세대(1b) D램, 238단 낸드 등 기존보다 원가 경쟁력이 높은 공정을 통한 양산 준비에 투자하면서 시황 개선시 실적이 빠르게 반등할 수 있도록 할 방침이다.

아울러 현존 최고 성능 D램인 ‘HBM3’를 올해 하반기부터 신제품을 공급해 프리미엄 시장을 선점할 예정이다. 

김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 “DDR5/LPDDR5, HBM3 등 올해부터 수요 성장세가 본격화되고 있다”며 “어려운 시장 환경 속에서도 미래의 성장동력이 될 기술과 제품 개발에 집중해 경쟁력을 이어 나가겠다”고 말했다. 

업계 관계자는 “삼성전자와 SK하이닉스의 감산 효과가 3분기부터는 시황 개선과 함께 수급 상황이 개선될 것”이라며 “2분기부터는 재고 수준이 감소하기 시작하면서 감소 폭이 하반기에는 더 확대될 것으로 예상된다”고 전했다. 

신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr