삼성전자, 12나노급 D램 개발…“고성능·저전력 특성 확보”

[스마트에프엔=신종모 기자] 삼성전자는 업계 최선단 12나노미터(nm, 10억분의 1ｍ)급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다. 

12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 말한다. 

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다.

또 멀티레이어 극자외선(EUV) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.

DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선돼 기후 위기 극복에 동참하는 글로벌 IT 기업들에 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이며 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.

또 내년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램을 양산하고 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며 “차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것”이라고 말했다.

신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr