‘1초에 영화 15편 처리’…SK하이닉스, 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’ 출시

[스마트에프엔=신종모 기자] SK하이닉스는 현존 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다고 25일 밝혔다.

LPDDR5T는 앞서 SK하이닉스가 지난해 11월 공개한 모바일 D램 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품으로 동작속도가 9.6Gbps(초당 9.6 기가비트)로 LPDDR5X 대비 13% 빨라졌다. 

SK하이닉스는 최고속도를 구현했다는 점을 부각하기 위해 규격명인 LPDDR5 뒤에 ‘터보(Turbo)’를 붙였다. 

LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로 전력 소모량의 최소화를 목적으로 하고 있다. 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로, 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됐다.

LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동한다. 속도는 물론 초저전력 특성도 동시에 구현해낸 제품이라고 회사 측은 강조했다.

SK하이닉스는 “초당 8.5Gb 속도의 LPDDR5X를 내놓은 지 불과 두 달 만에 기술 한계를 다시 한번 돌파했다”며 “앞으로 이번 신제품을 기반으로 고객이 필요로 하는 다양한 용량의 제품을 공급해 모바일용 D램 시장의 주도권을 더욱 견고히 할 것”이라고 말했다.

실제로 최근 SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16GB(기가바이트) 용량의 패키지 제품으로 만들어 샘플을 고객에게 제공했다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올 하반기부터 이 제품 양산에 들어갈 계획이다.

SK하이닉스는 LPDDR5X에 이어 이번 제품에도 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용했다. 

HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 것으로 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다. 

류성수 SK하이닉스 DRAM상품기획담당 부사장은 “이번 신제품 개발을 통해 초고속을 요구하는 고객들의 니즈를 충족시키게 됐다”며 “앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상의 게임 체인저가 될 것”이라고 말했다.

신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr