SK하이닉스, 제4회 혁신특허포상 실시…"반도체 경쟁력 강화"

D램, 낸드, CIS 등 기술 분야 혁신특허 10건 선정돼

조시영 기자 2021-11-25 15:32:54

SK하이닉스 '제4회 혁신특허포상 시상식' 참석자들이 수상기념 촬영을 하고 있다. 왼쪽부터 민경현 SK하이닉스 부사장, 차선용 부사장, 이강설 DRAM개발 TL, 김용미 TL, 김윤욱 부사장 /사진=SK하이닉스

[스마트에프엔=조시영 기자] SK하이닉스는 지난 23일부터 24일까지 2일간 ‘제4회 혁신특허포상 시상식’을 개최했다고 25일 밝혔다.

시상식은 김윤욱 SK하이닉스 부사장, 민경현 SK하이닉스 부사장 등 담당 임직원들이 경기 이천시, 성남시에서 근무하는 수상자들을 직접 찾아가는 방식으로 진행됐다.

이번 시상식의 최고상(금상)은 총 2건으로, D램 회로 면적을 줄이면서 리프레시(Refresh) 기능을 개선한 이강설, 김용미 D램개발 TL과 D램 내부의 배선 간 컨택(Contact) 저항을 낮추고 불량률을 저하시킨 김승범 미래기술연구원 TL이 수상했다.

SK하이닉스는 이외에도 낸드, CIS, P&T 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 총 10건의 혁신특허를 선정하고 혁신특허를 발명한 재직 연구원 17명에게 상패와 총상금 2억4000만원을 수여했다.

회사는 2018년부터 매년 혁신특허포상 제도를 시행해 임직원들의 연구 의욕을 고취하고 강한 특허를 발굴하는 데 앞장서고 있다. 이 제도는 SK하이닉스 등록 특허 중 매출 증대와 기술 문제 해결에 크게 기여한 혁신특허를 선정해 이를 발명한 재직 연구원을 포상하는 방식으로 운영된다.

한편 SK하이닉스는 현재 전 세계 2만 건 이상의 특허를 보유 중이며, 향후에도 강한 특허를 지속적으로 발굴해 글로벌 반도체 경쟁력을 강화한다는 방침이다.

조시영 기자 siyoung@smartfn.co.kr