中에 4.3조원 반도체 기술 빼돌린 삼성전자 전 임원 구속 송치

국내 반도체 핵심 공정기술을 중국에 빼돌린 삼성전자 전직 임원이 구속 상태로 검찰에 넘겨졌다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 삼성전자 상무이사 출신인 최모(66) 씨와 삼성전자 전직 D램 메모리 수석연구원 오모(60)씨 등을 구속 송치했다고 10일 밝혔다.

경찰에 따르면 최씨는 지난 2020년 중국 지방정부와 합작으로 반도체 제조업체 청두가오전을 설립하는 과정에서 오씨 등 국내 반도체 전문인력을 대거 영입해 삼성전자의 메모리 반도체 핵심기술을 유출·부정사용한 혐의(산업기술보호법·부정경쟁방지법 위반·업무상 배임)를 받는다.

이들이 빼돌린 기술은 삼성전자가 독자개발한 18나노급·20나노급 D램 반도체 제조 기술이다.

삼성전자는 이 기술을 개발하기 위해 각각 2조3000억원, 2조원을 들인 것으로 알려졌다. 20나노급 D램 개발에 투입된 인원만 2000명에 달했다. 

삼성전자는 현재도 해당 제품으로 매년 2조4000억원 상당의 매출을 내는 것으로 전해졌다.

최씨는 삼성전자 상무, 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 부사장을 지내며 반도체 분야 전문가였다. 최씨는 지난 2020년 9월 중국 지방정부로부터 자본금의 60％에 해당하는 4600억원을 받아 청두가오전을 설립했다.

최씨는 청두가오전 설립 추진단계에서부터 오씨를 비롯한 국내 반도체 핵심인력과 접촉하며 기술인력 상당수를 지속해서 영입해온 것으로 조사됐다.

청도가오전은 반도체 D램 연구 및 제조공장 준공 1년 3개월만인 지난 2022년 4월 ‘시범 웨이퍼’ 생산에 성공했다.

통상적으로 반도체 제조회사가 D램 반도체 관련 시범 웨이퍼를 생산하는데는 최소 4∼5년이 걸리는 것으로 알려져 있다.

이번 기술 유출로 피해 경제적 가치는 4조3000억원에 이른다. 

경찰 관계자는 “청두가오전은 연구‧개발 과정 없이 삼성전자의 수십년 간의 노하우를 부당하게 취득했다”고 지적했다.

경찰은 지난해 2월 삼성전자 반도체 기술 유출과 관련한 첩보를 입수해 수사에 착수했다. 지난 1월 오씨에 대한 구속영장이 기각됐으나 보완 수사를 통해 이달 최씨와 오씨를 구속했다.

경찰은 삼성전자 등 국내업체에서 청두가오전으로 이직한 다른 임직원 30여명도 입건해 추가적 기술 유출이 있었는지 등을 살펴보고 있다.

신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr