삼성전자, 지난해 영업익 6조5670억원…“4분기 D램 희망 봤다”
2024-01-31
이에 삼성전자는 생성형 AI 관련 고대역폭 메모리(HBM) 서버와 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요에 적극 대응하면서 수익성 개선에 집중할 계획이다.
김재준 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 31일 지난해 4분기 실적 발표 콘퍼런스콜을 통해 “올해 1분기 메모리 사업은 흑자 전환이 예상된다"며 ”메모리 생산 전반의 비트그로스(비트 단위로 환산한 생산량 증가율)가 제한적일 것으로 예상돼 고객의 재고 비축 수요보다는 진성 수요 위주로 공급 대응을 할 방침“이라고 말했다.
삼성전자의 D램과 낸드 비트그로스는 전 분기 대비 30% 중반대 증가를 기록했다. 평균판매단가(ASP)는 D램이 두 자릿수를, 낸드는 높은 한 자릿수로 상승했다.
삼성전자는 “올해 1분기 비트그로스는 D램이 시장 수준인 1% 중반 하락한다”며 “낸드는 시장 수준인 낮은 한 자릿수 감소가 예상된다”고 말했다.
삼성전자는 HBM 등 AI용 D램이 이끄는 메모리 수요 회복에도 기존 감산 기조를 유지할 방침이다.
김 부사장은 “4분기 출하량 증가와 지금까지의 생산 하향 조정으로 재고 수준은 빠른 속도로 감소했다”며 “시황 개선 속도가 상대적으로 빠른 D램을 중심으로 재고 수준이 상당 부분 감소했다”고 설명했다.
그는 이어 “D램과 낸드 모두 세부 제품별 재고 수준에는 차이가 있어서 미래 수요와 재고 수준을 종합적으로 고려해 상반기 중에도 선별적인 생산 조정은 이어나갈 계획”이라며 “D램 재고는 1분기가 지나면서 정상 범위에 도달할 것으로 보인다”고 말했다.
그러면서 “낸드도 수요나 시장 환경에 따라 시점의 차이가 있을 수 있으나 늦어도 상반기 내에 정상화될 것으로 기대한다”면서 “앞으로 시장 수요와 재고 수준을 상시 점검해 이에 따른 사업 전략에 유연하게 대응할 계획”이라고 덧붙였다.
DDR5, HBM 등 AI 반도체 개발 집중
올해는 DDR5, HBM 등 고용량·고성능을 자랑하는 AI 반도체가 주류를 이룰 것으로 전망된다.
반도체 업체들은 향후 메모리 감산 기조 완화로 레거시(범용) 메모리 제품의 가격 상승세는 완화될 것으로 보고 HBM 등 고부가가치 제품 개발에 집중할 것으로 예상된다.
삼성전자 매 분기 HBM 판매 기록을 경신하고 있다. 지난해 4분기는 전년 동기 대비 약 3.5배 판매량이 성장했다.
앞서 삼성전자는 지난해 3분기 HBM3의 첫 양산을 시작했다. 4분기에는 주요 그래픽처리장치(GPU) 업체를 고객군에 추가하며 판매를 확대했다.
HBM3 메모리는 기존 HBM3보다 데이터 전송 속도가 50% 빠르고 초당 총 10테라바이트(TB)의 대역폭을 제공한다.
아울러 삼성전자는 오는 2026년 양산을 목표로 차세대 HBM4 개발에 집중하고 있다. 동시에 고객의 니즈를 적극 반영한 커스텀 HBM 제품도 함께 개발하고 있다.
김 부사장은 “HBM3를 포함한 선단 제품 비중은 지속해서 증가해 올해 상반기 중 판매 수량의 절반 이상을 차지하고 하반기에는 그 비중이 90% 수준에 도달할 것”이라며 “차세대 HBM3E 제품 사업화와 이어 세대 HBM4 개발도 계획대로 순조롭게 진행 중”이라고 전했다.
삼성전자는 HBM3E 경우 올해 상반기에 내에 양산을 목표로 하고 있다. HBM4는 오는 2025년 샘플링, 2026년 양산을 목표로 개발 중이다.
김 부사장은 “생성형 AI 성장과 함께 고객 맞춤형 HBM에 대한 요구가 증가하는 만큼 고객별로 최적화한 커스텀 HBM 제품도 함께 개발 중”이라며 “현재 주요 고객사와 세부 스펙을 협의하고 있다”고 말했다.
삼성전자는 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다.
아울러 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.
신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr
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