SK하이닉스, 세계 최초 12단 적층 HBM3 개발…하반기 시장 공급

[스마트에프엔=신종모 기자] SK하이닉스가 현존 최고 성능 D램인 ‘HBM3’의 기술적 한계를 다시 한번 넘어섰다.

SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 구현한 HBM3 신제품을 개발했다고 20일 밝혔다. 올해 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 예정이다. 

SK하이닉스는 지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순으로 개발됐다. 기존 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB이었다. 

SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF와 TSV 기술을 적용했다. 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했다. 또 TSV(Through Silicon Via) 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현했다. 

앞서 SK하이닉스가 지난 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 인공지능(AI)에 필수적인 메모리 반도체 제품으로 업계의 주목을 받고 있다.

최신 규격인 HBM3는 대량의 데이터를 신속히 처리하는 데 최적의 메모리로 평가받으며 빅테크 기업들의 수요가 점차 늘어나고 있다.

SK하이닉스는 현재 다수의 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능 검증을 진행 중이며 고객들 역시 이 제품에 대해 큰 기대감을 보이는 것으로 알려졌다.

홍상후 SK하이닉스 부사장(P&T담당)은 “회사는 세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해 낼 수 있었다”며 “상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해 나가겠다”고 말했다. 

신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr