삼성전자, 내년 5세대 D램·2024년 9세대 V낸드 양산

[스마트에프엔=신종모 기자] 삼성전자가 5세대 10나노급 D램과 9세대 V낸드 등의 양산 계획을 밝혔다.

삼성전자는 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크 데이 2022(Samsung Tech Day 2022)’를 개최하고 차세대 반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다.

이번 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.

올해 ‘삼성 테크 데이’는 글로벌 IT 기업과 애널리스트, 미디어 등과 삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장, 시스템LSI사업부장 박용인 사장, 미주총괄 정재헌 부사장을 포함해 800여명이 참석했다.

삼성전자는 이날 오전 시스템 반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 ‘통합 솔루션 팹리스’로 거듭나겠다고 강조했다.

삼성전자는 SoC(System on Chip), 이미지센서, 모뎀, DDI(Display Driver IC), 전력 반도체(PMIC, Power Management IC), 보안솔루션 등을 아우르는 약 900개의 시스템 반도체 포트폴리오를 보유하고 있으며, 제품 기술을 융합한 '플랫폼 솔루션(Platform Solution)'으로 고객 니즈에 최적화한 통합 솔루션을 제공해 나갈 계획이다.

박용인 시스템LSI사업부장(사장)은 “사물이 사람과 같이 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간의 두뇌, 심장, 신경망, 시각 등의 역할을 하는 시스템 반도체의 중요성은 그 어느 때보다 커질 것”이라며 “삼성전자는 SoC, 이미지센서, DDI, 모뎀 등 다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 통합 솔루션 팹리스가 될 것”이라고 말했다.

삼성전자는 4차 산업혁명 시대에는 초지능화, 초연결성, 초데이터 등이 요구된다고 전망하고 있다. 이를 위해 인간의 기능에 근접하는 성능을 제공하는 최첨단 시스템 반도체를 개발할 계획이다.

SoC에서는 NPU(Neural Processing Unit), 모뎀 등과 같은 주요 IP의 성능을 향상하는 동시에 글로벌 파트너사들과 협업해 업계 최고 수준의 중앙기억장치(CPU), 그래픽처리장치(GPU)를 개발하는 등 SoC의 핵심 경쟁력 강화할 계획이다.

또 사람의 눈에 가까운 초고화소 이미지센서를 개발하고 사람의 오감(미각·후각·청각·시각·촉각)을 감지하고 구현할 수 있는 센서도 개발할 예정이다.

삼성전자는 이번 행사에서 부스 전시를 통해 첨단 시스템 반도체 제품을 선보였다.

차세대 차량용 SoC ‘엑시노스 오토(Exynos Auto) V920’, 5G 모뎀 ‘엑시노스 모뎀 5300’, QD(Quantum Dot) OLED용 DDI 등 신제품들과 프리미엄 모바일AP ‘엑시노스 2200’, 업계 최소 픽셀 크기의 2억 화소 이미지센서 ‘아이소셀(ISOCELL) HP3’, ‘생체인증카드’용 지문인증IC 제품 등도 공개됐다.

삼성전자는 2억 화소 이미지센서를 통해 촬영된 사진의 선명함을 직접 체험할 수 있는 데모 세션을 마련해 참석자들의 주목을 받았다. 지문인증IC의 지문 보안 기능 등이 구동되는 과정도 시뮬레이션을 통해 선보였다.

오후에 진행된 메모리 반도체 세션에서 삼성전자는 ‘5세대 10나노급(1b) D램’, ‘8세대·9세대 V낸드’를 포함한 차세대 제품 로드맵을 공개했다. 이를 통해 차별화된 솔루션과 시장 창출을 통해 메모리 기술 리더십을 유지해 나갈 방침이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 “삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환을 체감하고 있다”라며 “향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리 등을 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나갈 것”이라고 전했다.

삼성전자는 이날 데이터 인텔리전스(Data Intelligence)를 발전시킬 미래 D램 솔루션과 공정 미세화의 한계를 극복하기 위한 다양한 D램 기술을 공개했다.

삼성전자는 폭발적으로 증가하고 있는 데이터 사용량을 감당하기 위해 HBM-PIM(Processing-in-Memory), AXDIMM(Acceleration DIMM), CXL(Compute Express Link) 등 다양한 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 D램 기술의 성장을 위해 글로벌 IT 기업들과 협력해 나갈 계획이다.

또한 데이터센터용 고용량 32Gb DDR5 D램, 모바일용 저전력 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대 제품을 적기에 출시해 프리미엄 D램 시장의 리더십을 확고히 할 예정이다.

특히 삼성전자는 오는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하겠다고 강조했다.

삼성전자는 올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품을 양산할 계획이다.

또 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품도 공개했다. 이는 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이다.

삼성전자는 데이터센터, 인공지능 등 대용량 데이터가 필요한 다양한 고객 니즈에 대응하기 위해 QLC(Quadruple Level Cell) 생태계를 확대하고, 전력 효율도 개선해 고객들의 친환경 경영에 기여해 나갈 계획이다.

앞서 삼성전자는 2015년 차량용 메모리 시장에 첫 진입한 이후 빠른 성장세를 이어가고 있다. 자율 주행(AD), 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS), 인포테인먼트(IVI), 텔레매틱스(Telematics) 등을 위한 최적의 메모리 솔루션을 공급해 2025년 차량용 메모리 시장에서 1위를 달성할 계획이다.

또한 차량의 첨단화, 전동화에 따른 고성능 메모리 필요성이 더욱 커지고 있는 상황에서 삼성전자는 LPDDR5X, GDDR7, Shared Storage 등 차세대 메모리 솔루션을 제공해 모빌리티 혁신을 이뤄나갈 방침이다.

이외에도 SSD 내부에 탑재되는 D램 없이 PC에 탑재된 D램과 직접 연결하는 HMB(Host Memory Buffer) 기술을 적용한 SSD ‘PM9C1a’도 공개했다.

삼성전자 관계자는 “고객들에게 차세대 메모리 솔루션 개발·평가를 위한 최적화된 환경을 제공하는 ‘삼성 메모리 리서치 센터(SMRC)’를 오픈한다”며 “레드햇, 구글 클라우드 등과 협력하며 올해 4분기 한국을 시작으로 미국 등 다른 지역으로 SMRC를 순차적으로 확장해 나갈 계획”이라고 말했다.



신종모 기자 jmshin@smartfn.co.kr